EMI電源濾波器 插入損耗介紹和測(cè)試方法

     插入損耗介紹：

往往容易產(chǎn)生這樣一種誤解，認(rèn)為EMI濾波器的插入損耗越高越好。實(shí)際上插入損耗是要根據(jù)電磁干擾的性質(zhì)、要解決電磁干擾（EMI）問(wèn)題還是解決電磁敏感度（EMS）問(wèn)題、以及要求達(dá)標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范來(lái)確定。

例如開(kāi)關(guān)類(lèi)逆變電源，它是一個(gè)電磁干擾發(fā)生源，所以要了解開(kāi)關(guān)頻率是多少、電源功率有多大。了解開(kāi)關(guān)頻率是因?yàn)樗鼪Q定EMI濾波器的起始有效抑制頻率（只有對(duì)開(kāi)關(guān)基波頻率進(jìn)行有效地抑制才有可能同時(shí)有效地抑制它的高次諧波），由于軍標(biāo)達(dá)標(biāo)的起始頻率較低所以?xún)?yōu)為重要；了解開(kāi)關(guān)電源的功率是因?yàn)楣β试酱?，意味著轉(zhuǎn)換的開(kāi)關(guān)電流和開(kāi)關(guān)電壓越大，必然產(chǎn)生的EMI也越大，所以要解決的是電磁干擾（EMI）問(wèn)題。一般講開(kāi)關(guān)電源的差模干擾成分較大，所以對(duì)于功率大的開(kāi)關(guān)電源，它的EMI濾波器往往需要采用差模電感來(lái)抑制；晶振也是一個(gè)電磁干擾發(fā)生源，它的振蕩頻率比開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率高得多但功率比開(kāi)關(guān)電源的功率小得多，所以抑制它的EMI濾波器可能只需要一個(gè)電容器就足夠了。

又例如遠(yuǎn)程自動(dòng)抄表設(shè)備是一個(gè)電能計(jì)量設(shè)備，它對(duì)于來(lái)自外界的群脈沖干擾（FET）非常敏感，由于群脈沖干擾的頻譜極寬為300MHz以上，所以常規(guī)EMI濾波器電路的效果不理想時(shí)，往往要采用以吸取為主的濾波電路，所以要解決的是電磁敏感度（EMS）問(wèn)題；但對(duì)于開(kāi)關(guān)電源來(lái)講，一般的電磁敏感度（EMS）問(wèn)題，它的EMI濾波器就能夠解決了（由于EMI濾波器具有的雙向抑制功能）。

所以說(shuō)應(yīng)該根據(jù)實(shí)際需要來(lái)確定合理的插入損耗。

說(shuō)明書(shū)中應(yīng)該注意到，各類(lèi)EMI濾波器的共、差模插入損耗是不一樣的，一般講：?jiǎn)渭?jí)LC單元電路的插入損耗性能要差一些、雙級(jí)LC單元電路的插入損耗性能要好一些；額定工作電流小的插入損耗性能要好一些、額定工作電流大的插入損耗性能要差一些；單相電路的插入損耗性能要好一些、三相電路的插入損耗性能要差一些；在同一額定工作電流的條件下、三相三線制電路的插入損耗性能要比三相四線制電路的插入損耗性能要好一些。

      插入損耗測(cè)試方法：

插入損耗代表了濾波器濾波效果的好壞，是由濾波器插入前后，電路終端所測(cè)得的電壓取對(duì)數(shù)所得（單位dB），國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)UL1283，在空載、50Ω-50Ω系統(tǒng)下測(cè)試。計(jì)算公式如下：

                 IL=20LgV1/V2(dB)

插入損耗由共模和差模損耗組成，其測(cè)試電路原理如下圖所示：

                                                                       共模插入損耗                                              差模插入損耗

注意事項(xiàng)：本公司產(chǎn)品所提供的插入損耗曲線是依據(jù)UL1283標(biāo)準(zhǔn)，在空載、50Ω-50Ω理想狀態(tài)下使用頻譜網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得，實(shí)際效果請(qǐng)依據(jù)在實(shí)際環(huán)境下現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。